在硬件設(shè)計(jì)中，往往會(huì)會(huì)遇到電源正負(fù)極接反導(dǎo)致設(shè)備燒毀的情況，主要原因是由于，電源接反的情況下，設(shè)備內(nèi)部形成了低阻回路，導(dǎo)致電流過大從而短路燒毀，為了避免這個(gè)問題，在硬件設(shè)計(jì)中需要合理設(shè)計(jì)出防反接電路。目前主流的防反接電路分為以下幾類：1、整流橋防反接電路，2、二極管防反接電路，3、MOS管防反接電路（PMOS和NMOS），4、防反接集成IC。
整流橋內(nèi)部為4顆二極管組成，利用二極管的單向?qū)ㄐ怨ぷ?，該方案可以?shí)現(xiàn)外部供電不用區(qū)分正負(fù)，反接設(shè)備也能正常工作，但是該方案鏈路串聯(lián)了兩個(gè)二極管，導(dǎo)致壓降達(dá)到1V以上，如果用在大電流的情況下?lián)p耗會(huì)很高，但是用在功耗較低的設(shè)計(jì)中還是不錯(cuò)的選擇。
利用二極管的單向?qū)ㄐ裕陔娫椿芈分写胍活w二極管也能起到防反接的作用，該方案成本低，壓降略低于整流橋方案，在一些小玩具、小家電等產(chǎn)品中運(yùn)用很多，但是該方案在大電流場(chǎng)合依舊不太適用，電流過大會(huì)在二極管上產(chǎn)生較高的功率耗散，功率會(huì)以熱量的形式耗散出去，影響效率的同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致二極管擊穿失效等故障。
由于MOS管的導(dǎo)通電阻極小，基本在毫歐級(jí)別，電流較大時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生較高的壓降，因此不會(huì)像二極管一樣產(chǎn)生較高的導(dǎo)通損耗，可以運(yùn)用于大電流的場(chǎng)合。
Mos管防反接電路分為兩種，一種是PMOS防反接電路，該電路中的PMOS連接在電源輸入的正極端，當(dāng)輸入正負(fù)極連接正確時(shí)，PMOS正常導(dǎo)通，設(shè)備正常供電，當(dāng)輸入正負(fù)極反接時(shí)，POS的柵極產(chǎn)生高電平，PMOS截止，起到保護(hù)電路的作用。
另外一種防反接電路為NMOS防反接電路，該電路的NMOS連接在電源輸入的負(fù)極端，當(dāng)輸入正負(fù)極連接正確時(shí)，NMOS正常導(dǎo)通，設(shè)備正常供電，當(dāng)輸入正負(fù)極反接時(shí)，NOS的柵極產(chǎn)生低電平，NMOS截止，起到保護(hù)電路的作用。
使用反向二極管＋保險(xiǎn)絲的方式也可以起到防反接保護(hù)，但是該電路在接反以后可能會(huì)造成保險(xiǎn)絲直接損壞，尤其是在大電流的運(yùn)用場(chǎng)合，可以使用自恢復(fù)的保險(xiǎn)絲替換普通保險(xiǎn)絲，但是該電路依舊存在風(fēng)險(xiǎn)，需慎用。
總的來說，MOS管方案在提供較小損耗的前提下也會(huì)造成成本的增加，相比于PMOS而言，NMOS的價(jià)格相對(duì)便宜，并且型號(hào)規(guī)格也遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于PMOS，使用二極管方案是目前而言成本較低的，在不考慮低功耗并且電流不大的情況下用二極管防反接基本已經(jīng)足夠。
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