1.EFR32FG1P131F主要特點(diǎn)
32 位 ARM? Cortex?-M4 內(nèi)核，最高工作頻率為 40 MHz
提供可擴(kuò)展存儲器和射頻配置選項，使用兼容多種引腳的 QFN 封裝
12 信道外圍設(shè)備反射系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn) MCU外圍設(shè)備的自主交互
自主硬件加密加速器和隨機(jī)數(shù)生成器
20 dBm Sub-GHz 無線電的發(fā)射功率
集成直流到直流，帶有 RF 噪聲消減功能
成都億佰特電子科技有限公司生產(chǎn)的E76-433M20S采用silicon labs公司原裝進(jìn)口EFR32FG1P131F256GM48射頻芯片，該無線SoC芯片使用ARM Cortex-M4內(nèi)核+高性能射頻收發(fā)器，最高工作頻率為 40 MHz，支持Sub-G頻段，且內(nèi)部集成PA放大器，最大支持輸出功率是20dBm。有興趣的朋友可以了解一下。
2.E76-433MS20特點(diǎn)
支持二次開發(fā)。模塊引出單片機(jī)所有IO口，可進(jìn)行多方位的開發(fā)。
體積小（16 * 26*0.8mm）, 易于植入客戶產(chǎn)品。
頻段范圍：420~450MHz
寬電壓：1.85 ~ 3.8V DC
發(fā)射功率：20dBm
6．休眠電流 < 1uA
靈敏度-118dBm@4.8Kbps
低能耗 UART
遠(yuǎn)距離1500米
2.1 應(yīng)用范圍
?住宅和建筑自動化及安全
?測量
?電子貨架標(biāo)簽
?工業(yè)自動化
?商業(yè)和零售照明和感應(yīng)
3.EFR32FG1P131F典型的連接圖
3.1 電源
EFR32FG1有一個能量管理單元(EMU)和高效的集成調(diào)節(jié)器來產(chǎn)生內(nèi)部供電電壓。一種可選的dc - dc降壓調(diào)節(jié)器可以用于進(jìn)一步減少電流消耗。dc - dc電源模塊調(diào)節(jié)器需要一個外部電感器和一個外部電容器。AVDD和VREGVDD需要1.85 V或更高，以便MCU在所有條件下運(yùn)行;然而，系統(tǒng)的其余部分將運(yùn)行到1.62 V，包括數(shù)字電源和I / O。這意味著該設(shè)備與1.8 V組件完全兼容。從足夠高的供應(yīng)中運(yùn)行，該裝置可以使用DC - DC來調(diào)節(jié)電壓。
圖1 典型應(yīng)用電路:無dc - dc轉(zhuǎn)換器的直接供應(yīng)配置
圖2 典型應(yīng)用電路:dc - dc轉(zhuǎn)換器的配置(VDCDC的PAVDD)
3.2 射頻匹配網(wǎng)絡(luò)
圖3 165-450MHz射頻匹配網(wǎng)絡(luò)
圖4 450-915MHz射頻匹配網(wǎng)絡(luò)
3.3 概述
在EFR32 RFIC中，sub - G LNA和PA電路是完全差分的，在芯片內(nèi)部沒有捆綁在一起。因此在RFIC上總共需要4個引腳，以提供對LNA和PA電路的訪問: SUBGRF_OP/ ON用于TX輸出，以及SUBGRF_IP /用于RX輸入。這四引腳是相鄰的，如圖5所示sub-G發(fā)送和接收功能引腳位置。
圖5 sub-G發(fā)送和接收功能引腳位置
3.4 sub-G射頻匹配網(wǎng)絡(luò)的總體拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
RF匹配網(wǎng)絡(luò)由以下幾個模塊組成:
?低通濾波器部分(用于抑制TX模式下的諧波和雜散排放)。
?一個balun(提供一個單端到微分轉(zhuǎn)換函數(shù))。
?阻抗變換部分(為RFIC的TX和RX引腳提供正確的阻抗)
圖6 射頻匹配的通用拓?fù)?/span>
RFIC(SUBGRF_OP / ON)的TX引腳必須提供vdd供電電壓。許多商業(yè)上Balun都需要提供直流電壓，如上圖所示。如果不使用balun芯片，有必要通過一對高值的DC拉升電感向TX引腳提供直流電壓。
3.5 低通濾波器
低通濾波器網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計目的是使TX諧波滿足一些認(rèn)證需求(例如FCC、ETSI或ARIB)，低通濾波器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示。
圖7 低通濾波器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
表1 不同頻率下低通濾波器元器件的值
